FDMS4435BZ
Gamintojo produkto numeris:

FDMS4435BZ

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FDMS4435BZ-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventorius:

13546 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12847956
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDMS4435BZ Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Ta), 18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2050 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-PQFN (5x6)
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
FDMS4435

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
ONSFSCFDMS4435BZ
FDMS4435BZTR
2156-FDMS4435BZ-OS
FDMS4435BZCT
FDMS4435BZDKR
FDMS4435BZ-DG
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
alpha-and-omega-semiconductor

AO4728

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

infineon-technologies

IPB60R380C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK

onsemi

FQA5N90

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P

onsemi

FDMC7582

MOSFET N-CH 25V 16.7A/49A PWR33