FDMS86102LZ
Gamintojo produkto numeris:

FDMS86102LZ

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FDMS86102LZ-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventorius:

66683 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12838889
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDMS86102LZ Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Ta), 22A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1305 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-PQFN (5x6)
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
FDMS86102

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
2156-FDMS86102LZ-OS
FDMS86102LZ-DG
FDMS86102LZCT
FDMS86102LZDKR
ONSONSFDMS86102LZ
FDMS86102LZTR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

SFW9640TM

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

onsemi

FQPF33N10L

MOSFET N-CH 100V 18A TO220F

onsemi

FDB14AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

onsemi

HUFA75307D3

MOSFET N-CH 55V 15A IPAK