Gamintojo produkto numeris:
FDMS86200DC
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDMS86200DC-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 9.3A (Ta), 28A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventorius:
12847666
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDMS86200DC Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
Dual Cool™, PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.3A (Ta), 28A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2955 pF @ 75 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.2W (Ta), 125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-PQFN (5x6)
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
FDMS86200
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDMS86200DCTR
FDMS86200DC-DG
FDMS86200DCCT
2156-FDMS86200DC-488
FDMS86200DCDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
BSC190N15NS3GATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
9937
DiGi DALIES NUMERIS
BSC190N15NS3GATMA1-DG
VISO KAINA
1.26
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTMFS4846NT1G
MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
IRFU120ATU
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
FDMS7650
MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
