Gamintojo produkto numeris:
FDP8870-F085
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDP8870-F085-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12851181
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDP8870-F085 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
19A (Ta), 156A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
132 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5200 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
160W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
FDP88
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDP8870_F085
FDP8870_F085-DG
Standartinis paketas
400
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PSMN4R3-30PL,127
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
4699
DiGi DALIES NUMERIS
PSMN4R3-30PL,127-DG
VISO KAINA
0.72
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IPP042N03LGXKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
238
DiGi DALIES NUMERIS
IPP042N03LGXKSA1-DG
VISO KAINA
0.49
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FCI7N60
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
HUFA76633P3
MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
