FDR6580
Gamintojo produkto numeris:

FDR6580

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FDR6580-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 11.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

Inventorius:

12838297
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDR6580 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3829 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.8W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SuperSOT™-8
Pakuotė / dėklas
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
FDR65

Papildoma informacija

Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

FDS6675A

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDA032N08

MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN

onsemi

FQB11P06TM

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

onsemi

FQAF10N80

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF