Gamintojo produkto numeris:
FDS3680
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS3680-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 5.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12837209
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS3680 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
46mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1735 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
FDS36
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI4100DY-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
7295
DiGi DALIES NUMERIS
SI4100DY-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.43
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
FDMS7578
MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN
