Gamintojo produkto numeris:
FDS5692Z
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS5692Z-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Išsami aprašymas:
N-Channel 50 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12931714
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS5692Z Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
UltraFET™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
50 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.8A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1025 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
FDS56
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDS5692ZCT
FDS5692ZTR
FDS5692ZDKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFW520ATM
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF731
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFW644BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
