Gamintojo produkto numeris:
FDS6570A
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS6570A-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12837123
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS6570A Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
66 nC @ 5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4700 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
FDS6570
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDS6570ATR
FDS6570ADKR
FDS6570ACT
FDS6570A-DG
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMN2009LSS-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
1816
DiGi DALIES NUMERIS
DMN2009LSS-13-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
SI4864DY-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
2218
DiGi DALIES NUMERIS
SI4864DY-T1-GE3-DG
VISO KAINA
1.77
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
FQD5P20TM
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
AUIRLL024ZTR
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
