Gamintojo produkto numeris:
FDS6575
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS6575-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
11716 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12836740
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS6575 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4951 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
FDS65
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONSFDS6575
FDS6575-DG
FDS6575TR
FDS6575CT
FDS6575DKR
2156-FDS6575-OS
2832-FDS6575
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDS6680S
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
CPH3456-TL-W
MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
FDMS8888
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
