Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Prancūzija
Ispanija
Turkija
Moldavija
Lietuva
Norvegija
Vokietija
Portugalija
Slovakija
litų
Suomija
Rusų
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Serbija
Baltarusija
Nyderlandai
Švedija
Juodkalnija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Rumunija
Austrija
Belgija
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Kongo Demokratinė Respublika
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Argentina
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
FDS6680AS
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS6680AS-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
Prašymas dėl kainos internetu
12839815
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS6680AS Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®, SyncFET™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1240 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
FDS6680
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
FDS6680AS-DG
Duomenų lapai
FDS6680AS
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDS6680ASTR
FDS6680AS-DG
2156-FDS6680AS-488
FDS6680ASCT
FDS6680ASDKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TSM180N03CS RLG
GAMINTOJAS
Taiwan Semiconductor Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
4980
DiGi DALIES NUMERIS
TSM180N03CS RLG-DG
VISO KAINA
0.12
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FDS4470
GAMINTOJAS
Fairchild Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
193682
DiGi DALIES NUMERIS
FDS4470-DG
VISO KAINA
0.85
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRF7821TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
16602
DiGi DALIES NUMERIS
IRF7821TRPBF-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQD2N80TM
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
FQPF7P20
MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
FDP8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
NVD6416ANLT4G-001-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK