Gamintojo produkto numeris:
FDS89161
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS89161-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
22674 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12837663
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS89161 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.7A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
4.1nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
210pF @ 50V
Galia - Maks.
1.6W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
FDS89
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDS89161TR
FDS89161CT
FDS89161DKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
FDG6308P
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
FDME1034CZT
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET