Gamintojo produkto numeris:
FDS8935
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS8935-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12839461
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS8935 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.1A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
879pF @ 40V
Galia - Maks.
1.6W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
FDS89
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDS8935TR
FDS8935-DG
FDS8935CT
FDS8935DKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
EFC4618R-P-TR
MOSFET 2N-CH EFCP1818
FDS8926A
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
NTJD4152PT2G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
