Gamintojo produkto numeris:
FDW2508PB
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDW2508PB-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 12V 6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Inventorius:
12847215
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDW2508PB Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3775pF @ 6V
Galia - Maks.
1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-TSSOP
Pagrindinio produkto numeris
FDW25
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDW2508PBTR
FDW2508PBDKR
FDW2508PBCT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MMDF3N04HDR2G
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8SOIC
FDS6898AZ
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
ECH8659-M-TL-H
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8ECH
