FDW258P
Gamintojo produkto numeris:

FDW258P

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FDW258P-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 12 V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12846528
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDW258P Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5049 pF @ 5 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.3W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-TSSOP
Pakuotė / dėklas
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
FDW25

Papildoma informacija

Standartinis paketas
2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
alpha-and-omega-semiconductor

AOW10N60

MOSFET N-CH 600V 10A TO262

onsemi

FDD13AN06A0

MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK

onsemi

FDMC8878

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP

onsemi

FDS3570

MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC