Gamintojo produkto numeris:
FQA11N90C
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQA11N90C-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Išsami aprašymas:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventorius:
12848305
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQA11N90C Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
900 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3290 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3P
Pakuotė / dėklas
TO-3P-3, SC-65-3
Pagrindinio produkto numeris
FQA1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-DG
Q2658628A
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STW7NK90Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
86
DiGi DALIES NUMERIS
STW7NK90Z-DG
VISO KAINA
1.75
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRFPF50PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
466
DiGi DALIES NUMERIS
IRFPF50PBF-DG
VISO KAINA
3.01
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
