Gamintojo produkto numeris:
FQA160N08
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQA160N08-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
Išsami aprašymas:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventorius:
12848034
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQA160N08 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
160A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
290 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
7900 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
375W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3PN
Pakuotė / dėklas
TO-3P-3, SC-65-3
Pagrindinio produkto numeris
FQA160
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQA160N08-DG
2156-FQA160N08-488
FQA160N08OS
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFP2907PBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2867
DiGi DALIES NUMERIS
IRFP2907PBF-DG
VISO KAINA
2.55
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXTQ180N10T
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTQ180N10T-DG
VISO KAINA
2.90
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AO4447AL
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
FCH104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
FDS8672S
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
