Gamintojo produkto numeris:
FQA18N50V2
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQA18N50V2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventorius:
12850368
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQA18N50V2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
265mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3290 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
277W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3P
Pakuotė / dėklas
TO-3P-3, SC-65-3
Pagrindinio produkto numeris
FQA1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
450
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXTQ26N50P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTQ26N50P-DG
VISO KAINA
3.47
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STW19NM50N
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
337
DiGi DALIES NUMERIS
STW19NM50N-DG
VISO KAINA
3.02
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FDA18N50
GAMINTOJAS
Fairchild Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
1564
DiGi DALIES NUMERIS
FDA18N50-DG
VISO KAINA
1.66
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDFS2P103A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
AOTF2610L
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
FQPF15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220F