Gamintojo produkto numeris:
FQA44N10
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQA44N10-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 48A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventorius:
12836554
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQA44N10 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
48A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
180W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3P
Pakuotė / dėklas
TO-3P-3, SC-65-3
Pagrindinio produkto numeris
FQA4
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
2SK1317-E
GAMINTOJAS
Renesas Electronics Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
5608
DiGi DALIES NUMERIS
2SK1317-E-DG
VISO KAINA
3.29
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXTQ75N10P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
3
DiGi DALIES NUMERIS
IXTQ75N10P-DG
VISO KAINA
2.44
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FDP3682
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
7136
DiGi DALIES NUMERIS
FDP3682-DG
VISO KAINA
0.75
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
HUF75321P3
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
HUF75842S3ST
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
