Gamintojo produkto numeris:
FQB12P20TM
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQB12P20TM-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 200 V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12848729
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQB12P20TM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
470mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FQB12P20
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQB12P20TMDKR
FQB12P20TMCT
2156-FQB12P20TM-OS
ONSONSFQB12P20TM
FQB12P20TM-DG
FQB12P20TMTR
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF9640STRRPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
6065
DiGi DALIES NUMERIS
IRF9640STRRPBF-DG
VISO KAINA
1.42
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQB1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
IPB065N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
AOTF18N65
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3F
