Gamintojo produkto numeris:
FQB2N50TM
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQB2N50TM-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 2.1A (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12849791
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQB2N50TM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
230 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.13W (Ta), 55W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FQB2
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFI820GPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IRFI820GPBF-DG
VISO KAINA
1.06
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRF540NSTRLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
7309
DiGi DALIES NUMERIS
IRF540NSTRLPBF-DG
VISO KAINA
0.52
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXTA08N50D2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
260
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA08N50D2-DG
VISO KAINA
1.25
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
