FQB4P25TM
Gamintojo produkto numeris:

FQB4P25TM

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FQB4P25TM-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 250 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventorius:

12836098
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FQB4P25TM Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
420 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.13W (Ta), 75W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FQB4

Papildoma informacija

Standartinis paketas
800

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
IRF5210STRLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
7933
DiGi DALIES NUMERIS
IRF5210STRLPBF-DG
VISO KAINA
1.26
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
infineon-technologies

AUIRFS3006-7P

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

onsemi

FQD7P06TM

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

onsemi

FDN340P

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

onsemi

FCP11N60N

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3