Gamintojo produkto numeris:
FQB5N60CTM
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQB5N60CTM-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12849297
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQB5N60CTM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
670 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FQB5
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFBC30SPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IRFBC30SPBF-DG
VISO KAINA
1.41
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STB4NK60ZT4
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
4369
DiGi DALIES NUMERIS
STB4NK60ZT4-DG
VISO KAINA
0.77
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
