Gamintojo produkto numeris:
FQB7N65CTM
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQB7N65CTM-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 173W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12838942
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQB7N65CTM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
173W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FQB7
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQB7N65CTMCT
FQB7N65CTMTR
FQB7N65CTMDKR
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STB8N65M5
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
531
DiGi DALIES NUMERIS
STB8N65M5-DG
VISO KAINA
1.20
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRF540NSTRLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
7309
DiGi DALIES NUMERIS
IRF540NSTRLPBF-DG
VISO KAINA
0.52
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
FDP025N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3