Gamintojo produkto numeris:
FQD17N08LTM
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQD17N08LTM-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 80 V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
12846247
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQD17N08LTM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12.9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
520 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
FQD17N08
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQD17N08LTMDKR
FQD17N08LTMCT
FQD17N08LTMTR
FQD17N08LTM-DG
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRLR3410TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
48747
DiGi DALIES NUMERIS
IRLR3410TRPBF-DG
VISO KAINA
0.38
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FDC3512
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
FDC3512-DG
VISO KAINA
0.29
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDMC510P
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
FCPF11N60T
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AOI4146
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO251A
