Gamintojo produkto numeris:
FQD8P10TM-F085
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQD8P10TM-F085-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
8244 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12846032
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQD8P10TM-F085 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
470 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
FQD8P10
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQD8P10TM_F085CT-DG
FQD8P10TM-F085TR
FQD8P10TM_F085-DG
FQD8P10TM-F085CT
FQD8P10TM-F085DKR
FQD8P10TM_F085TR
FQD8P10TM_F085DKR-DG
FQD8P10TM_F085TR-DG
FQD8P10TM_F085CT
FQD8P10TM_F085DKR
FQD8P10TM_F085
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDPF6N60ZUT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
FQPF9N15
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F
FCA20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN