FQE10N20CTU

Gamintojo produkto numeris:

FQE10N20CTU

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FQE10N20CTU-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3

Išsami aprašymas:

N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12848531

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

FQE10N20CTU Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

onsemi

Pakuotė

-

Serijos

QFET®

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

200 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

4A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

360mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

26 nC @ 10 V

VGS (Max)

±30V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

510 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

12.8W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-126-3

Pakuotė / dėklas

TO-225AA, TO-126-3

Pagrindinio produkto numeris

FQE1

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

1,920

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

onsemi

FQP5N80

MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3

NTMFD4951NFT1G

MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

onsemi

FDPF16N50T

MOSFET N-CH 500V 16A TO220F

onsemi

NTD24N06G

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK