Gamintojo produkto numeris:
FQI10N60CTU
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQI10N60CTU-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventorius:
12850520
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQI10N60CTU Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2040 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262 (I2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
FQI1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
AOW11N60
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
773
DiGi DALIES NUMERIS
AOW11N60-DG
VISO KAINA
0.82
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRFSL9N60APBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
900
DiGi DALIES NUMERIS
IRFSL9N60APBF-DG
VISO KAINA
1.21
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
FQD12N20LTF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FCP190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
