FQI5N80TU

Gamintojo produkto numeris:

FQI5N80TU

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FQI5N80TU-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK

Išsami aprašymas:

N-Channel 800 V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12851145

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

FQI5N80TU Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

onsemi

Pakuotė

-

Serijos

QFET®

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

800 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

4.8A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

5V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

33 nC @ 10 V

VGS (Max)

±30V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1250 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-262 (I2PAK)

Pakuotė / dėklas

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Pagrindinio produkto numeris

FQI5

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

onsemi

FQP5P20

MOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3

infineon-technologies

BSS806NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

onsemi

FDN342P

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

onsemi

CPH6443-P-TL-H

MOSFET N-CH 35V 6A CPH6