Gamintojo produkto numeris:
FQN1N50CTA
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQN1N50CTA-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventorius:
3302 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12846565
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQN1N50CTA Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Cut Tape (CT)
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
380mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
195 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92-3
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pagrindinio produkto numeris
FQN1N50
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQN1N50CTA-DG
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-DG
FQN1N50CTATB
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STQ2HNK60ZR-AP
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
9835
DiGi DALIES NUMERIS
STQ2HNK60ZR-AP-DG
VISO KAINA
0.28
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AOD2606
MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO252
AOTF66616L
MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
FDP085N10A
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
