Gamintojo produkto numeris:
FQP10N20
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQP10N20-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12846582
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
iGJt
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQP10N20 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
670 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
87W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
FQP1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RCX100N25
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
429
DiGi DALIES NUMERIS
RCX100N25-DG
VISO KAINA
0.86
Pakeitimo tipas
Direct
DALIES NUMERIS
IRF630
GAMINTOJAS
Harris Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
11535
DiGi DALIES NUMERIS
IRF630-DG
VISO KAINA
0.80
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRF630PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
5461
DiGi DALIES NUMERIS
IRF630PBF-DG
VISO KAINA
0.51
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDPF13N50FT
MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
CPH3360-TL-W
MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH
AOB15S65L
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
