Gamintojo produkto numeris:
FQP10N20CTSTU
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQP10N20CTSTU-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12838777
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQP10N20CTSTU Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
510 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
72W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
FQP1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF630NPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
8085
DiGi DALIES NUMERIS
IRF630NPBF-DG
VISO KAINA
0.39
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRF630PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
5461
DiGi DALIES NUMERIS
IRF630PBF-DG
VISO KAINA
0.51
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRL630PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
890
DiGi DALIES NUMERIS
IRL630PBF-DG
VISO KAINA
0.86
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDMC8360L
MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
FDW254P
MOSFET P-CH 20V 9.2A 8TSSOP
HUFA75344P3_F085
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
