Gamintojo produkto numeris:
FQP11N50CF
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQP11N50CF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12848077
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQP11N50CF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
FRFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2055 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
195W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
FQP1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFP12N50P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
300
DiGi DALIES NUMERIS
IXFP12N50P-DG
VISO KAINA
1.71
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STP11NK50Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
826
DiGi DALIES NUMERIS
STP11NK50Z-DG
VISO KAINA
1.27
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRFB11N50APBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
2122
DiGi DALIES NUMERIS
IRFB11N50APBF-DG
VISO KAINA
0.98
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BSO080P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
FDMA8878
MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
