Gamintojo produkto numeris:
FQP4P40
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQP4P40-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3
Išsami aprašymas:
P-Channel 400 V 3.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12846696
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQP4P40 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
400 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
680 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
85W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
FQP4
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQP4P40-DG
2156-FQP4P40-488
FQP4P40FS
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FCD3400N80Z
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
FQI3P50TU
MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK
FCU850N80Z
MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
