FQPF2N80
Gamintojo produkto numeris:

FQPF2N80

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FQPF2N80-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventorius:

987 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12837952
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FQPF2N80 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
550 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220F-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
FQPF2

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
488-FQPF2N80
Standartinis paketas
1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

onsemi

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS

onsemi

FDZ7064N

MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA

onsemi

HUF76429S3ST

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK