FQPF2N80

Gamintojo produkto numeris:

FQPF2N80

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FQPF2N80-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

Išsami aprašymas:

N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventorius:

987 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12837952

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

FQPF2N80 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

onsemi

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

800 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

1.5A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

6.3Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

5V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

15 nC @ 10 V

VGS (Max)

±30V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

550 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

35W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-220F-3

Pakuotė / dėklas

TO-220-3 Full Pack

Pagrindinio produkto numeris

FQPF2

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

488-FQPF2N80

Standartinis paketas

1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

Not Applicable

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

onsemi

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS

FDZ7064N

MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA

onsemi

HUF76429S3ST

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK