Gamintojo produkto numeris:
FQPF33N10
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQPF33N10-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventorius:
202 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12839473
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQPF33N10 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
41W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220F-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
FQPF3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONSFQPF33N10
2156-FQPF33N10-OS
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQPF5P10
MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
