Gamintojo produkto numeris:
FQPF630
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQPF630-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 6.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventorius:
12839249
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQPF630 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
550 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
38W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220F-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
FQPF6
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQPF630-DG
2832-FQPF630
FQPF630OS
2156-FQPF630-488
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RCX080N25
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
246
DiGi DALIES NUMERIS
RCX080N25-DG
VISO KAINA
0.43
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
FDPF4D5N10C
MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
HUF75329G3
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
