Gamintojo produkto numeris:
FQPF9P25YDTU
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQPF9P25YDTU-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Išsami aprašymas:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventorius:
12840701
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQPF9P25YDTU Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
620mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Pagrindinio produkto numeris
FQPF9
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2832-FQPF9P25YDTU-488
2832-FQPF9P25YDTU
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NDT02N60ZT1G
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
NTNS3A91PZT5G
MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
NTD4960N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
