FQT1N80TF-WS
Gamintojo produkto numeris:

FQT1N80TF-WS

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FQT1N80TF-WS-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3

Inventorius:

12847036
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FQT1N80TF-WS Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
195 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.1W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-223-3
Pakuotė / dėklas
TO-261-3
Pagrindinio produkto numeris
FQT1N80

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
FQT1N80TF_WSTR-DG
FQT1N80TF_WSCT
FQT1N80TF-WSDKR
FQT1N80TF_WSDKR
FQT1N80TF-WSCT
FQT1N80TF_WSTR
FQT1N80TFWS
FQT1N80TF_WSDKR-DG
FQT1N80TF-WSTR
FQT1N80TF_WSCT-DG
Standartinis paketas
4,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

HUFA76419S3S

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

FQD5N20LTM

MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

onsemi

HUFA75637S3ST

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

onsemi

FDD120AN15A0

MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK