FQU12N20TU
Gamintojo produkto numeris:

FQU12N20TU

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FQU12N20TU-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK

Inventorius:

12849656
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FQU12N20TU Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
910 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
IPAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
FQU12N20

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
5,040

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

FQI1P50TU

MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK

onsemi

MTP50P03HDLG

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

alpha-and-omega-semiconductor

AOB4184

MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263

onsemi

FQAF44N08

MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF