Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Prancūzija
Ispanija
Turkija
Moldavija
Lietuva
Norvegija
Vokietija
Portugalija
Slovakija
litų
Suomija
Rusų
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Serbija
Baltarusija
Nyderlandai
Švedija
Juodkalnija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Rumunija
Austrija
Belgija
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Kongo Demokratinė Respublika
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Argentina
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
FQU13N06LTU-WS
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQU13N06LTU-WS-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventorius:
34177 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12837090
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQU13N06LTU-WS Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I-PAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
FQU13N06
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
FQD13N06LTM Datasheet
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2832-FQU13N06LTU-WS
FQU13N06LTU_WS
FQU13N06LTU_WS-DG
2832-FQU13N06LTU-WS-488
Standartinis paketas
70
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FQU13N06LTU
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
100
DiGi DALIES NUMERIS
FQU13N06LTU-DG
VISO KAINA
0.33
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DALIES NUMERIS
STD12NF06L-1
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
1913
DiGi DALIES NUMERIS
STD12NF06L-1-DG
VISO KAINA
0.25
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FQD13N06LTM
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
1546
DiGi DALIES NUMERIS
FQD13N06LTM-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
TSM900N06CH X0G
GAMINTOJAS
Taiwan Semiconductor Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
48855
DiGi DALIES NUMERIS
TSM900N06CH X0G-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SK3703-1E
MOSFET N-CH 60V 30A TO220F-3SG
FQA8N90C
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
HUFA76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
2N7002L6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3