Gamintojo produkto numeris:
FQU13N10LTU
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQU13N10LTU-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole IPAK
Inventorius:
12846052
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQU13N10LTU Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
520 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
IPAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
FQU13N10
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
70
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TSM900N10CH X0G
GAMINTOJAS
Taiwan Semiconductor Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
TSM900N10CH X0G-DG
VISO KAINA
0.26
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
DMN10H170SK3-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
252806
DiGi DALIES NUMERIS
DMN10H170SK3-13-DG
VISO KAINA
0.19
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BSS138N-E6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AOTF11C60PL
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
AONS66612
MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN
