Gamintojo produkto numeris:
FQU8P10TU
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQU8P10TU-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole IPAK
Inventorius:
12849056
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQU8P10TU Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
470 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
IPAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
FQU8P10
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQU8P10TU-DG
FQU8P10TUOS
ONSONSFQU8P10TU
2156-FQU8P10TU-OS
2832-FQU8P10TU
Standartinis paketas
70
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFU9120PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
2697
DiGi DALIES NUMERIS
IRFU9120PBF-DG
VISO KAINA
0.65
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AOB190A60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
AOL1454
MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
AOT12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
