HUF76629D3

Gamintojo produkto numeris:

HUF76629D3

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

HUF76629D3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 20A IPAK

Išsami aprašymas:

N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12851449

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

HUF76629D3 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

onsemi

Pakuotė

-

Serijos

UltraFET™

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

20A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

52mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

3V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

46 nC @ 10 V

VGS (Max)

±16V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1285 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

110W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

IPAK

Pakuotė / dėklas

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pagrindinio produkto numeris

HUF76

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

1,800

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

onsemi

FDS6689S

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

onsemi

FDG410NZ

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88

FDU5N60NZTU

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3

rohm-semi

R6504KNJTL

MOSFET N-CH 650V 4A LPTS