Gamintojo produkto numeris:
IRFNL210BTA-FP001
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
IRFNL210BTA-FP001-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 1A TO92L
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 1A (Tc) 3.1W (Ta) Through Hole TO-92L
Inventorius:
12847558
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFNL210BTA-FP001 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
225 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92L
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pagrindinio produkto numeris
IRFNL
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRFNL210BTA_FP001-DG
IRFNL210BTA_FP001
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDS8813NZ
MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
NTD5C688NLT4G
MOSFET N-CH 60V 7.5A/17A DPAK
CPH3348-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3A 3CPH
