Gamintojo produkto numeris:
MJD112G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
MJD112G-DG
Aprašymas:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Inventorius:
409 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12851187
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
MJD112G Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN - Darlington
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
2 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
20µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Galia - Maks.
1.75 W
Dažnis - perėjimas
25MHz
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pagrindinio produkto numeris
MJD112
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-MJD112G-OS
MJD112G-DG
ONSONSMJD112G
MJD112GOS
2832-MJD112G
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
KSA1010YTU
TRANS PNP 100V 7A TO220-3
BD681S
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3
MMBT3906
BJT SOT23 40V PNP 0.25W 150C
