Gamintojo produkto numeris:
MJD117-1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
MJD117-1G-DG
Aprašymas:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventorius:
12854426
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
MJD117-1G Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
PNP - Darlington
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
2 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
20µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Galia - Maks.
1.75 W
Dažnis - perėjimas
25MHz
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tiekėjo įrenginių paketas
I-PAK
Pagrindinio produkto numeris
MJD117
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-MJD117-1G-OS
ONSONSMJD117-1G
MJD117-1G-DG
MJD117-1GOS
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
MJD117T4G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
2150
DiGi DALIES NUMERIS
MJD117T4G-DG
VISO KAINA
0.25
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MMBTA64LT1G
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
KSC1623OMTF
TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
MPSW45AG
TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
