Gamintojo produkto numeris:
MTD6P10E
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
MTD6P10E-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
12853215
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
MTD6P10E Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±15V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
840 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.75W (Ta), 50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
MTD6P
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
MTD6P10EOS
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SPD04P10PLGBTMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
SPD04P10PLGBTMA1-DG
VISO KAINA
0.29
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPP60R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
IRFR120NCPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
