MTW32N20EG
Gamintojo produkto numeris:

MTW32N20EG

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

MTW32N20EG-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 200V 32A TO247
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 32A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247

Inventorius:

12844003
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

MTW32N20EG Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
75mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
180W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
MTW32

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
MTW32N20EGOS
Standartinis paketas
30

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
IRFP250PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IRFP250PBF-DG
VISO KAINA
1.69
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

IRFC430

MOSFET N-CH 500V TO PKG

infineon-technologies

AUIRLR3110ZTRL

MOSFET N-CH 100V 63A DPAK

onsemi

NDC632P

MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6

onsemi

NVC3S5A51PLZT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH