Gamintojo produkto numeris:
NDD60N360U1-1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NDD60N360U1-1G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 114W (Tc) Through Hole IPAK
Inventorius:
12840294
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NDD60N360U1-1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
790 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
114W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
IPAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
NDD60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-NDD60N360U1-1G-ON
ONSONSNDD60N360U1-1G
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STU13N60M2
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
1340
DiGi DALIES NUMERIS
STU13N60M2-DG
VISO KAINA
0.61
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FCU360N65S3R0
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
1585
DiGi DALIES NUMERIS
FCU360N65S3R0-DG
VISO KAINA
0.97
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQPF3N80C
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
NTMFS4854NST3G
MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
NDD03N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK
