Gamintojo produkto numeris:
NDS9952A-F011
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NDS9952A-F011-DG
Aprašymas:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 2.9A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12958363
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NDS9952A-F011 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
N and P-Channel
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.9A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.8V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
320pF @ 10V
Galia - Maks.
900mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
NDS995
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-NDS9952A-F011TR
2832-NDS9952A-F011TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MCQ6005-TP
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
MCQD05N06-TP
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
MSCSM120HM083CAG
SIC MOSFET
